PSMN2R8-40YSBX
Número de pieza:
PSMN2R8-40YSBX
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 59 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 160A (Tc)
- Paquete / Carcasa SC-100, SOT-669
- Proveedor Dispositivo Paquete LFPAK56, Power-SO8
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 147W (Tc)
- FET Característica Schottky Diode (Body)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 1mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4563 pF @ 20 V