PXN2R8-100RLJ
Número de pieza:
PXN2R8-100RLJ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
PXN2R8-100RL/SOT8038/MLPAK56
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 103 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Disipación de Potencia (Máx.) 181W (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete MLPAK56
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 184A (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6325 pF @ 50 V