QH8ME5TCR
Número de pieza:
QH8ME5TCR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración N and P-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2A (Ta)
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT8
- Potencia - Máx 1.1W (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 202mOhm @ 2A, 10V, 270mOhm @ 2A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.8nC @ 10V, 19.7nC @ 10V