QJD1210SA1
Número de pieza:
QJD1210SA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Powerex Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Potencia - Máx 520W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.6V @ 34mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 330nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8200pF @ 10V