QS6K1FRATR
Número de pieza:
QS6K1FRATR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Temperatura de Operación 150°C
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 77pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT6 (SC-95)
- FET Característica Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Potencia - Máx 900mW (Tc)