QS8J2TR
Número de pieza:
QS8J2TR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 4.5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 12V
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT8
- Potencia - Máx 550mW
- FET Característica Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1940pF @ 6V