QS8M12TCR
Número de pieza:
QS8M12TCR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A
- Potencia - Máx 1.5W
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 250pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT8
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.4nC @ 5V