QS8M31TR
Número de pieza:
QS8M31TR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT8
- Potencia - Máx 1.1W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3A (Ta), 2A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 270pF @ 10V, 750pF @ 10V