QS8M51HZGTR
Número de pieza:
QS8M51HZGTR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C
- Configuración N and P-Channel
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT8
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
- Potencia - Máx 1.1W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2A (Ta), 1.5A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V