R4P020N06HZGT100
Número de pieza:
R4P020N06HZGT100
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 60V 2A, TO-243, POWER MOSFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Paquete / Carcasa TO-243AA
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 500mW (Ta)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-89
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 140 pF @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2A (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 10V