R8019KNZ4C13
Número de pieza:
R8019KNZ4C13
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 800V 19A, TO-247AD, HIGH-SPE
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 800 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 208W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 265mOhm @ 9.5A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247G
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 7mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2100 pF @ 100 V