RBK04U04GNS-0000#HBH

RBK04U04GNS-0000#HBH

Número de pieza: RBK04U04GNS-0000#HBH
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Descripción: POWER TRS2 LIB 8P HVSON ANL4 OTH
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación 150°C
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 18A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 111nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6900pF @ 10V
  • Potencia - Máx 83W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSON (5x6)