RD3N01BATTL1
Número de pieza:
RD3N01BATTL1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
PCH -80V -10A TO-252, POWER MOSF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Tipo de FET P-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Disipación de Potencia (Máx.) 25W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 21 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 141mOhm @ 5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 840 pF @ 40 V