RD3N045ATTL1
Número de pieza:
RD3N045ATTL1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
PCH -80V -4.5A, TO-252 (DPAK), P
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Tipo de FET P-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.9 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Disipación de Potencia (Máx.) 17W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.25A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 205 pF @ 40 V