RH6G040CHTB1
Número de pieza:
RH6G040CHTB1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 40V 135A, HSMT8, POWER MOSFE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 135A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 40A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1930 pF @ 20 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.4W (Ta), 93W (Tc)