RH7G04DBKFRATCB
Número de pieza:
RH7G04DBKFRATCB
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 33W (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.6 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 200µA
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN3333T8LSAB
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 20A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 345 pF @ 20 V