RJ1R04BBHTL1
Número de pieza:
RJ1R04BBHTL1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 150V 40A, TO-263AB, POWER MO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 37 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 89W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 27mOhm @ 20A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263AB
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2150 pF @ 75 V