RJM0603JSC-00#12

RJM0603JSC-00#12

Número de pieza: RJM0603JSC-00#12
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Descripción: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP
Embalaje: Tray
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Configuración 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
  • Paquete / Carcasa 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
  • Proveedor Dispositivo Paquete 20-HSOP
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2600pF @ 10V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
  • FET Característica Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A
  • Temperatura de Operación 175°C
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 43nC @ 10V
  • Potencia - Máx 54W