RN1710JE(TE85L,F)
Número de pieza:
RN1710JE(TE85L,F)
Clasificación de productos:
Matrices de transistores bipolares, preconmutadas
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Frecuencia - Transición 250MHz
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 100nA (ICBO)
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 50V
- Potencia - Máx 100mW
- Resistencia - Base Emisor (R2) -
- Resistencia - Base (R1) 4.7kOhms
- Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Paquete / Carcasa SOT-553
- Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
- Tipo de Transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Proveedor Dispositivo Paquete ESV