RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

Número de pieza: RN2117MFV,L3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 mA
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 50 V
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 500nA
  • Resistencias Incluidas R1 and R2
  • Potencia - Máx 150 mW
  • Tipo de Transistor PNP - Pre-Biased
  • Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
  • Resistencia - Base Emisor (R2) 4.7 kOhms
  • Paquete / Carcasa SOT-723
  • Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
  • Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
  • Proveedor Dispositivo Paquete VESM