RQ3G120BKFRATCB
Número de pieza:
RQ3G120BKFRATCB
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 40V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) 40W (Tc)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12A (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 470 pF @ 20 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 12A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 432µA