RQ3G270BJFRATCB
Número de pieza:
RQ3G270BJFRATCB
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Tipo de FET P-Channel
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 27A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 69W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1810 pF @ 20 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 22mOhm @ 27A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 485µA
- Vgs (Máx.) +5V, -20V