RQ3N060ATTB1
Número de pieza:
RQ3N060ATTB1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Tipo de FET P-Channel
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2W (Ta), 20W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Ta), 18A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2240 pF @ 40 V