RQ5L045BGTCL
Número de pieza:
RQ5L045BGTCL
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 60V 4.5A, TSMT3, POWER MOSFE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 700mW (Ta)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
- Paquete / Carcasa SC-96
- Proveedor Dispositivo Paquete TSMT3
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.6 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 460 pF @ 30 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 32mOhm @ 4.5A, 10V