RS7E200BGTB1
Número de pieza:
RS7E200BGTB1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 30V 390A, DFN5060-8S, POWER
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.67mOhm @ 50A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 180W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 390A (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9500 pF @ 15 V
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060-8S