RS7N160BHTB1

RS7N160BHTB1

Número de pieza: RS7N160BHTB1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 73 nC @ 10 V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 160A (Ta)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4470 pF @ 40 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060-8S
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 160W (Tc)