RY7P250BMTBC
Número de pieza:
RY7P250BMTBC
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Disipación de Potencia (Máx.) 340W (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.86mOhm @ 50A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 250A (Ta), 300A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 15900 pF @ 50 V
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN8080T8LSHAAI