S3M0030120K
Número de pieza:
S3M0030120K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
SMC Diode Solutions
Descripción:
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Disipación de Potencia (Máx.) 130W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 74A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Vgs (Máx.) +18V, -4V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 16mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 143 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2844 pF @ 1000 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39mOhm @ 40A, 18V