SCT012W90G3-4AG
Número de pieza:
SCT012W90G3-4AG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Temperatura de Operación -55°C ~ 200°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 900 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 110A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 625W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 10mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 60A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 138 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3880 pF @ 400 V