SCT020H120G3AG
Número de pieza:
SCT020H120G3AG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
SIC MOSFET
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 555W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete H2PAK-7
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 2.3mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 121 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28mOhm @ 50A, 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3465 pF @ 800 V