SCT020W120G3-4AG

SCT020W120G3-4AG

Número de pieza: SCT020W120G3-4AG
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • FET Característica -
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
  • Paquete / Carcasa TO-247-4
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 108A (Tc)
  • Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
  • Vgs (Máx.) +18V, -5V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 2.3mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 121 nC @ 18 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28mOhm @ 50A, 18V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3465 pF @ 800 V