SCT040TO65G3
Número de pieza:
SCT040TO65G3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 288W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete TOLL (HV)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 1mA
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 42.5 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 853 pF @ 400 V