SCT040W65G3-4
Número de pieza:
SCT040W65G3-4
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 200°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 240W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 1mA
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 37.5 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 860 pF @ 400 V