SCT070W120G3-4
Número de pieza:
SCT070W120G3-4
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 30A TO247
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 200°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 236W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 41 nC @ 18 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 1mA
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 87mOhm @ 15A, 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 900 pF @ 850 V