SCT2H12NWBTL1
Número de pieza:
SCT2H12NWBTL1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Disipación de Potencia (Máx.) 39W (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -6V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 410µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 197 pF @ 800 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263CA-7LSHYAD