SCT3160KWAHRTL
Número de pieza:
SCT3160KWAHRTL
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +22V, -4V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 208mOhm @ 5A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 2.5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 42 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 398 pF @ 800 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7LA