SH63N65DM6AG
Número de pieza:
SH63N65DM6AG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 53A (Tc)
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 80nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.75V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 9-PowerSMD
- Proveedor Dispositivo Paquete 9-ACEPACK SMIT
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 64mOhm @ 23A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3344pF @ 100V
- Potencia - Máx 424W (Tc)