SH8K2TB1
Número de pieza:
SH8K2TB1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Paquete / Carcasa 8-SMD, Gull Wing
- Potencia - Máx 2W
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10.1nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 520pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP (5.0x6.0)