SH8M13GZETB
Número de pieza:
SH8M13GZETB
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- FET Característica -
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Tecnología -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración N and P-Channel
- Potencia - Máx 2W
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18nC @ 5V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A, 7A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1200pF @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V