SI1029X-T1-GE3
Número de pieza:
SI1029X-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Potencia - Máx 250mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete SC-89 (SOT-563F)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 305mA, 190mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 30pF @ 25V, 23pF @ 25V