SI1035X-T1-GE3
Número de pieza:
SI1035X-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A SC89
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Potencia - Máx 250mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete SC-89 (SOT-563F)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 180mA, 145mA
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 400mV @ 250µA (Min)