SI1036X-T1-GE3
Número de pieza:
SI1036X-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete SC-89-6
- Potencia - Máx 220mW
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 610mA (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 540mOhm @ 500mA, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 36pF @ 15V