SI1900DL-T1-GE3

SI1900DL-T1-GE3

Número de pieza: SI1900DL-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.63A SC70-6
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Last Time Buy
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
  • Proveedor Dispositivo Paquete SC-70-6
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.4nC @ 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 630mA (Ta), 590mA (Ta)
  • Potencia - Máx 300mW, 270mW