SI1965DH-T1-BE3

SI1965DH-T1-BE3

Número de pieza: SI1965DH-T1-BE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 1.14A SC70-6
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
  • Configuración 2 P-Channel (Dual)
  • Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 12V
  • Proveedor Dispositivo Paquete SC-70-6
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.2nC @ 8V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 120pF @ 6V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
  • Potencia - Máx 740mW (Ta), 1.25W (Tc)