SI2012KL3-TP

SI2012KL3-TP

Número de pieza: SI2012KL3-TP
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: MCC (Micro Commercial Components)
Descripción: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de FET P-Channel
  • Vgs (Máx.) ±10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 4.5V
  • Paquete / Carcasa SC-101, SOT-883
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 980mA (Ta)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete DFN1006-3
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 500mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 74 pF @ 10 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 740mW (Tj)