SI2323DS

SI2323DS

Número de pieza: SI2323DS
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: UMW
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Paquete / Carcasa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Tipo de FET P-Channel
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 750mW (Ta)
  • Proveedor Dispositivo Paquete SOT-23-3 (TO-236)
  • Vgs (Máx.) ±8V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.7A, 4.5V