SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Número de pieza: SI3529DV-T1-E3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración N and P-Channel
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Potencia - Máx 1.4W
  • Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7nC @ 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A, 1.95A
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 205pF @ 20V