SI3552DV-T1-GE3
Número de pieza:
SI3552DV-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA (Min)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.2nC @ 5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V
- Potencia - Máx 1.15W