SI3585CDV-T1-GE3
Número de pieza:
SI3585CDV-T1-GE3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 150pF @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.9A, 2.1A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.8nC @ 10V
- Potencia - Máx 1.4W, 1.3W