SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Número de pieza: SI3586DV-T1-GE3
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración N and P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
  • Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSOP
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.9A, 2.1A
  • Potencia - Máx 830mW